מספר מוצר של יצרן:
CDMSJ22010-650 SL
Product Overview
יצרן:
Central Semiconductor Corp
DiGi Electronics מספר חלק:
CDMSJ22010-650 SL-DG
תיאור:
SUPER JUNCTION MOSFETS
תיאור מפורט:
N-Channel 650 V 10A (Tc) 29.5W (Tc) Through Hole TO-220FP
מלאי:
500 יחידות חדשות מק originales במלאי
13243523
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
CDMSJ22010-650 SL מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Central Semiconductor
אריזות
Tube
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
650 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
10A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
390mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
19 nC @ 10 V
VGS (מקס')
30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
726 pF @ 400 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
29.5W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220FP
חבילה / מארז
TO-220-3 Full Pack
מידע נוסף
שמות אחרים
1514-CDMSJ22010-650SL
CDMSJ22010-650 SL PBFREE
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
ISZ113N10NM5LF2ATMA1
ISZ113N10NM5LF2ATMA1 MOSFET
ISC025N08NM5LF2ATMA1
OPTIMOSTM5LINEARFET80V
XP162A11C0PR-G
MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT89